Infineon постигна технологичен пробив с 300-милиметрови пластини от силициев карбид за високоволтова енергетика
Източник: FDominec / Wikimedia Commons
Европейският полупроводников гигант Infineon обяви историческо инженерно постижение, което ще трансформира силовата електроника и възобновяемата енергетика: успешното производство на първите в света напълно функционални 300-милиметрови (12-инчови) пластини от силициев карбид [1]. Преходът от масовите в момента 150-мм и 200-мм подложки към 300-мм увеличава броя на годните чипове на една пластина с 2.5 пъти.
Драстично намаляване на цената на високоволтовите инвертори
Силициевият карбид (SiC) е критичен материал за енергийния преход, позволяващ работа при по-високи напрежения, по-високи температури и със значително по-ниски топлинни загуби спрямо класическия силиций. Основната пречка пред масовото му внедряване досега беше високата производствена цена и дефектите в кристалната решетка.
Новият производствен процес във фабриката на Infineon във Филах (Австрия) използва ултра-прецизна лазерна технология за разрязване Cold Split, елиминирайки загубата на скъп материал при обработка.
Въздействие върху електропреносните мрежи и соларните централи
По-евтините и мощни SiC модули позволяват изграждането на централни инвертори за фотоволтаични паркове с ефективност над 99.2%, което директно намалява загубите при преноса на зелена енергия към националните електрически мрежи.
Инфографика: Аналитичен преглед на Svetni.me
Европейско технологично лидерство в зелената индустрия
Успехът на Infineon е изключително важна победа за европейската полупроводникова индустрия, доказваща, че континентът може да запази лидерство в ключовия сегмент на силовата електроника. Докато в областта на най-малките логически възли (2nm) конкуренцията е концентрирана в Азия, в енергийните технологии Европа определя световните стандарти.
Този пробив ще ускори глобалния преход към декарбонизирана икономика, правейки соларната и вятърната енергия още по-конкурентоспособна на изкопаемите горива.